高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区域熔炼法中的应用以及制备方法

摘要

本发明涉及高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区域熔炼法中的应用以及制备方法。该高纯硅棒采用纯度在99.9999％-99.9999999999％的硅粉经过等静压方法压制成直径为20mm-300mm的硅棒，原料硅棒所采用的硅粉原料的颗粒直径在0.1微米-100微米，该原料硅棒的密度为1.60-2.29克/立方厘米，该原料硅棒的抗压参数为0.1-50MPa，该原料硅棒的纯度在99.999％-99.9999999999％，该原料硅棒密度均匀，密度均匀表现在该硅块的任意截面上的任意两点的密度相差幅度在0-18％，该高纯多晶硅棒有良好抗压性能，可以直接作为区域熔炼法单晶硅的供料棒使用。

主权项

高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区域熔炼法中的应用。