发明名称 |
薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法,该薄膜构图方法包括:步骤1,基板上沉积第一薄膜,并涂布光刻胶;步骤2,采用双调掩模板对光刻胶进行曝光和显影后,形成第一区域、第二区域和第三区域;步骤3,对第一薄膜进行过刻,在第三区域去除第一薄膜,并且在第一区域的周边形成过刻区域;步骤4,对光刻胶进行灰化,露出位于第二区域的第一薄膜;步骤5,沉积第二薄膜,在第二区域第一薄膜与第二薄膜接触;步骤6,剥离光刻胶,去除位于第一区域的第二薄膜,并且在第一区域的过刻区域露出基板。该薄膜构图方法采用了双调掩模板,通过剥离工艺和过刻工艺,形成薄膜重叠的区域和薄膜都被去除的区域。 |
申请公布号 |
CN101718950A |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200810223739.3 |
申请日期 |
2008.10.09 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
闵泰烨;林壮奎;宋省勳;高雪松 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种薄膜构图方法,其特征在于,包括:步骤1,在基板上沉积第一薄膜,并涂布光刻胶;步骤2,采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后,形成第一区域、第二区域和第三区域,所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚,所述第三区域没有光刻胶;步骤3,对所述第一薄膜进行过刻,在所述第三区域去除所述第一薄膜,并且在所述第一区域的周边形成过刻区域;步骤4,对光刻胶进行灰化,露出位于所述第二区域的所述第一薄膜;步骤5,沉积第二薄膜,在所述第二区域所述第一薄膜与所述第二薄膜接触;步骤6,剥离光刻胶,去除位于所述第一区域的第二薄膜,并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |