发明名称 一种可负压关断的IGBT变压器驱动电路
摘要 本实用新型公开了一种可负压关断的IGBT变压器驱动电路,包括一变压器、一第一MOS管、一第一稳压管、一驱动器;第一MOS管、第一稳压管和驱动器依着变压器的正输出端指向负输出端的方向串接在变压器的次级回路中;在第一MOS管的漏极与变压器的负输出端之间接有由第一电阻、第一二极管和第一电容构成的串联支路;驱动器包括第二MOS管、第三MOS管和第二电容;第二MOS管的栅极接第一MOS管的漏极,源极接第一二极管的负极,漏极接第三MOS管的栅极;第三MOS管的漏极连接第二电容后作为驱动器的第一输出端,第三MOS管的源极作为驱动器的第二输出端并与变压器的负输出端相连接。本实用新型不仅可以很好地实现快速关断,而且能够提供负压偏置。
申请公布号 CN201499099U 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200920309667.4 申请日期 2009.09.04
申请人 厦门宏发电声股份有限公司 发明人 林育超;范结义
分类号 H02M7/217(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H02M7/217(2006.01)I
代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人 张松亭;连耀忠
主权项 一种可负压关断的IGBT变压器驱动电路,包括一变压器、一第一MOS管、一第一稳压管、一驱动器;第一MOS管、第一稳压管和驱动器依着变压器的正输出端指向负输出端的方向串接在变压器的次级回路中;该驱动器设有用来连接IGBT的栅极的第一输出端和用来连接IGBT的发射极的第二输出端;在第一MOS管的漏极与变压器的负输出端之间接有由第一电阻和第一二极管构成的串联支路;其特征在于:在所述串联支路中还串接有一第一电容,该第一电容的一端与第一二极管的负极相连接,第一电容的另一端与变压器的负输出端相连接;所述的驱动器包括第二MOS管、第三MOS管和第二电容;第二MOS管的栅极与第一MOS管的漏极相连接,第二MOS管的源极与第一二极管的负极相连接,第二MOS管的漏极与第三MOS管的栅极相连接,第三MOS管的漏极连接第二电容后作为驱动器的第一输出端,第三MOS管的源极作为驱动器的第二输出端并与变压器的负输出端相连接。
地址 361000 福建省厦门市集美北部工业区孙坂南路91-101号