Aufbau und Verfahren zum Ausbilden eines Trench-Fet mit abgeschirmtem Gate mit einem Zwischenelektroden-Dielektrikum mit einem Low-K-Dielektrikum darin

摘要

Ein Trench-Feldeffekttransistor (Trench-FET) mit abgeschirmtem Gate umfasst Gräben, die sich in ein Halbleitergebiet erstrecken. In einem Bodenabschnitt jedes Grabens ist eine Abschirmelektrode angeordnet. Die Abschirmelektrode ist von dem Halbleitergebiet durch ein Abschirmdielektrikum isoliert. In jedem Graben ist über der Abschirmelektrode eine Gate-Elektrode angeordnet, und ein Zwischenelektrodendielektrikum (IED), das ein Low-k-Dielektrikum umfasst, erstreckt sich zwischen der Abschirmelektrode und der Gate-Elektrode.