| 发明名称 | 制造薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造薄膜的方法，包括：a)注入步骤，其利用离子轰击由半导体材料制成的基板的一个表面，从而在基板内的预定深度处形成所述注入离子聚集层，所述聚集层限定了位于基板上部中的薄膜；b)使基板的表面与一刚性体形成紧密接触的步骤；c)通过离子聚集层处的剥离将与刚性体接触的薄膜分离的步骤；其中，在注入步骤a)之后以及分离步骤c)之前，所述方法还包括热处理步骤以捕获污染物，该步骤不会导致离子聚集层处的基板剥离，并在步骤c)之后，包括将通过捕获污染物和通过分离步骤c)紊乱的区域去除的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101038865B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710085597.4 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 | 发明人 | A·托赞;S·佩索尼克;F·洛吉耶 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 董敏 |
| 主权项 | 一种制造薄膜的方法，包括：a)至少一个注入步骤，其通过利用离子轰击由半导体材料制成的基板的一个表面，从而在基板内的预定深度处形成一聚集层，所述注入离子聚集在该聚集层中，所述聚集层限定了位于基板上部中的薄膜；b)使基板的所述表面与一刚性体形成紧密接触的步骤；c)通过离子聚集层处的剥离将与所述刚性体接触的薄膜分离的步骤；其中，在注入步骤a)之后以及分离步骤c)之前，所述方法还包括热处理步骤以捕获污染物，该步骤不会导致离子聚集层处的基板剥离，并在步骤c)之后，包括将通过捕获污染物和通过分离步骤c)紊乱的区域去除的步骤，然后，在1000℃的温度下进行使转移到刚性体上的薄膜退火的步骤。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼恩 | ||