发明名称 |
微电子装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种微电子装置及其制造方法。该微电子装置的制造方法包括使用光刻扫描器,以一第一速度,对基底上的虚设区进行曝光,使用光刻扫描器,以一第二速度,对基底上的虚设区进行曝光,其中第一速度大体上比第二速度快;另一实施例揭示微电子装置的另一制造方法,包括使用光刻扫描器,以一第一速度,对微电子装置的非关键层进行曝光,使用光刻扫描器,以一第二速度,对微电子装置的关键层进行曝光,其中第一速度大体上比第二速度快。通过本发明,可以利用不同的速度进行曝光,从而获得更佳的产量和质量。 |
申请公布号 |
CN101251717B |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200710110247.9 |
申请日期 |
2007.06.08 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林建勋;杨安国;彭瑞君;郭耀文 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
一种微电子装置的制造方法,包括如下步骤:提供一基底,包括一虚设区和一产品区;使用一光刻扫描器,以一第一速度,对该基底上一单一层的虚设区进行曝光;及使用该光刻扫描器,以一第二速度,对该基底上该单一层的产品区进行曝光,其中该第一速度比该第二速度快。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |