发明名称 |
半导体封装件及其制法 |
摘要 |
一种半导体封装件及其制法,在一金属载具上敷设一第一阻层,并于第一阻层中开设多个贯穿的开口,以于开口中形成导电金属层,接着移除第一阻层,并于金属载具上具导电金属层的一侧覆盖一介电层,且令介电层形成有盲孔以露出部分导电金属层,再于介电层上形成导电线路及于盲孔中形成导电柱,以使导电线路通过导电柱而电性连接至导电金属层,从而供导电线路及导电金属层利用导电柱与介电层有效接合,避免脱层问题,再者介电层中仅形成小尺寸的盲孔,以避免现有技术形成大尺寸开口所造成制程不便及成本增加问题,之后将至少一芯片电性连接至导电线路,且形成一包覆芯片及导电线路的封装胶体,及移除金属载具,进而形成不需芯片承载件的半导体封装件。 |
申请公布号 |
CN101431031B |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200710169548.9 |
申请日期 |
2007.11.09 |
申请人 |
矽品精密工业股份有限公司 |
发明人 |
李春源;黄建屏;赖裕庭;萧承旭;柯俊吉 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟 |
主权项 |
一种半导体封装件的制法,包括:敷设第一阻层于一金属载具上,并于该第一阻层的预定部位开设多个贯穿的开口,以外露出该金属载具;于该开口中形成导电金属层,该导电金属层包括有对应芯片位置的芯片座及供芯片与外部装置电性连接的电性连接终端;移除该第一阻层,并于该金属载具上形成该导电金属层的一侧覆盖一介电层,且令该介电层形成有盲孔以露出部分导电金属层;于该介电层上形成导电线路及于该盲孔中形成导电柱,并使该导电线路通过该导电柱而电性连接至该导电金属层;将至少一芯片接置于对应该芯片座的该导电线路表面上,且通过焊线电性连接至对应该电性连接终端的该导电线路;形成一封装胶体以包覆该芯片及导电线路;以及移除该金属载具,藉以外露出该介电层及导电金属层。 |
地址 |
中国台湾台中县 |