| 发明名称 |
逻辑资料区块、磁性随机存取记忆体、记忆体模组、电脑系统及方法 |
| 摘要 |
揭示一种于一磁性随机存取记忆体(MRAM)之逻辑资料区块。逻辑资料区块包含磁性记忆体胞元形成于难磁化轴产生性导体与易磁化轴产生性导体之交叉点。逻辑资料区块进一步藉预选定之以区块为主之错误校正码之尺寸组配。也揭示一磁性记忆体模组及电脑系统其包括MRAM具有根据本发明之具体实施例之逻辑资料区块。此外，揭示一种减少于MRAM内部之半选择写入错误之方法具体实施例。 |
| 申请公布号 |
TWI325592 |
申请公布日期 |
2010.06.01 |
| 申请号 |
TW093102811 |
申请日期 |
2004.02.06 |
| 申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
史密斯 肯尼士 Ｋ;波纳 弗瑞德里克 Ａ;希尔顿 理察Ｌ |
| 分类号 |
G11C11/16 |
主分类号 |
G11C11/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文;林嘉兴 |
| 主权项 |
一种于一磁性随机存取记忆体(MRAM)之逻辑资料区块，该逻辑资料区块包含磁性记忆体胞元其系形成于难磁化轴产生性导体与易磁化轴产生性导体之交叉点，其中该逻辑资料区块之大小系藉一预选定之以区块为主之错误校正码组配而成。 |
| 地址 |
南韩 |
