| 摘要 |
1. Способ управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной лежащей в технологической камере (12) реактора CVD в опорной выемке (20) опоры (1) держателей подложки на поддерживаемом образованной газовым потоком динамической газовой подушкой (8) держателе (2) подложки (9), причем подвод тепла к подложке (9) осуществляют, по меньшей мере, частично за счет теплопроводности через газовую подушку, причем измеряют температуру поверхности подложки в нескольких местах на поверхности подложки, и для уменьшения отличия этих температур от среднего значения свойства теплопроводности газовой подушки изменяют за счет того, что образующий газовую подушку (8) между поверхностью дна опорной выемки (20) и нижней стороной держателя (2) подложки газовый поток образуют из двух или более газов (17, 18) с различно высокой удельной теплопроводностью, причем состав изменяют в зависимости от измеренных температур поверхности, причем теплопроводность держателя (2) подложки выбирают так и нижнюю сторону подложки (2), а также поверхность дна опорной выемки (20) выполняют так, что температура поверхности подложки при применении лишь одного из обоих газов (17, 18) имеет симметричную относительно оси вращения боковую негомогенность, которую компенсируют или перекомпенсируют посредством изменения состава газового потока. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что за счет изменения состава газа оказывают влияние на ход бокового изменения температуры на поверхности держателя (2) подложки так, что температура на поверхности подложки является постоянной по существу на всей поверхности подложки. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при применении лишь од� |
