HETEROSTRUCTURE ELEMENT HAVING A LOW BARRIER HEIGHT AND A HIGH CURRENT DENSITY

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Heterostrukturelement mit zumindest einer ersten Halbleiterschicht, zumindest einer zweiten Halbleiterschicht, sowie zumindest einem Metallkontakt, wobei die erste Halbleiterschicht über der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, und sich der Metallkontakt in einer Öffnung von einer der zweiten Halbleiterschicht gegenüber liegenden Oberseite der ersten Halbleiterschicht durch die erste Halbleiterschicht hindurch und bis zu einer Tiefe größer oder gleich Null in die zweite Halbleiterschicht hinein erstreckt.