Ein Transistor nach HEMT-Bauart ist selbstsperrend und weist geringe Variationen der Gateschwellenwertspannung auf. Der Transistor umfasst einen p-Bereich, einen Barrierenbereich, eine Isolationsschicht und eine Gateelektrode. Der Kanalbereich ist mit einer oberen Oberfläche des p-Bereichs verbunden. Der Kanalbereich ist vom n-Typ oder vom i-Typ und mit einem ersten Kanalbereich und einem zweiten Kanalbereich versehen. Der Barrierenbereich bildet einen Heteroübergang mit einer oberen Oberfläche des ersten Kanalbereichs aus. Die Isolationsschicht ist mit einer oberen Oberfläche des zweiten Kanalbereichs und einer unteren Oberfläche des Barrierenbereichs verbunden. Die Gateelektrode ist in dem zweiten Kanalbereich und dem Barrierenbereich über die Isolationsschicht zugewandt. Der erste Kanalbereich und der zweite Kanalbereich sind in einem Stromleitungspfad in Reihe angeordnet.
