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Eine nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung enthält eine Vielzahl von Zellen zum Speichern von Daten auf einer Basis von nichtflüchtig gespeicherten Ladungen, eine Schreibeinheit zum Schreiben und Löschen von Daten auf der Zelle durch Injizieren oder Extrahieren von Ladungen in die oder von der Zelle, einen Komparator zum Vergleichen der durch eine selektierte Zelle, die auszulesen ist, hervorgebrachten Spannung mit einer Schwelle, eine Leseeinheit zum Ausgeben von Lesedaten auf der Basis des Vergleichsresultats durch den Komparator und eine Schwellenaktualisierungseinheit zum Aktualisieren der Schwelle des Komparators gemäß der durch die selektierte Zelle hervorgebrachten Spannung.
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