| 摘要 |
1. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы, включающий следующие стадии: ! приготовление нижней подложки и ! выращивание первого полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием при использовании газообразного тетрафторида кремния в качестве легирующего газа, на указанной нижней подложке выращиванием из паровой фазы. ! 2. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы гидридной эпитаксией из паровой фазы. ! 3. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.2, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы при температуре по меньшей мере 900°C и не более 1300°C. ! 4. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 5×1016 см-3 и не превышает 5×1020 см-3. ! 5. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.4, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 3×1018 см-3 и не превышает 5×1019 см-3. ! 6. Спос� |
