倒置盆地型阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺

摘要

本发明涉及一种倒置盆地型阴极发射阵列结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及倒置盆地型阴极阵列发射结构；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，能够进一步增大碳纳米管阴极的电子发射面积和发射效率，增强栅极结构的控制功能，有利于进一步提高整体器件的显示图像质量，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

主权项

一种倒置盆地型阴极阵列发射结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[11]和四周玻璃围框[15]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[12]、制备在阳极导电层上面的荧光粉层[14]以及在阳极导电层的非显示区域印刷的绝缘浆料层[13]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[17]以及消气剂附属元件[16]，其特征在于：所述的倒置盆地型阴极阵列发射结构的衬底材料为钠钙玻璃或硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀的二氧化硅层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀的金属层形成阴极引线层；引线层上面的刻蚀的掺杂多晶硅层形成阴极升高层；阴极升高层呈现一种倒置盆地型形状，中间的阴极升高层部分的高度最高，然后向两侧依次降低，且呈台阶式梯度变化，最低处和阴极引线层相连；阴极升高层的底面为一个圆型面，和阴极引线层紧密接触；阴极升高层上面的刻蚀的金属层形成阴极导电层；阴极导电层布满阴极升高层的上表面；绝缘层上面的刻蚀的二氧化硅层形成隔离层；隔离层中存在圆型孔，暴露出底部的阴极升高层和阴极导电层；隔离层的上下表面均为平面，下表面要覆盖住阴极引线层以及空余的绝缘层部分；隔离层中圆型孔的内侧壁是垂直于阴极玻璃面板的圆柱面；隔离层的高度要高于阴极升高层的高度；隔离层中圆型孔的内侧壁上的刻蚀的金属层形成调控栅极层；调控栅极层位于圆型孔内侧壁靠近隔离层上表面的位置，呈现圆环型形状附在内侧壁上，其圆环宽度与阴极升高层中单个台阶的高度相同；隔离层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层和调控栅极层是相互连通的；栅极引线层的大部分都位于隔离层的上面，但是其前端部分要向圆型孔的内部延伸，呈现悬空状态；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要覆盖住栅极引线层的上表面，包括其前端悬空部分栅极引线层的上表面在内；碳纳米管制备在阴极导电层的上面。