发明名称 |
光学信息记录介质、记录重放方法和光学记录重放系统 |
摘要 |
在基片上形成至少一层信息层,后者包括以经激光照射能在两种不同的光学状态之间变化的材料为主要成分的记录层。这种材料的能隙在非结晶状态下为0.9eV至2.0eV。受到波长在300nm至450nm的范围内的激光照射时,上述信息层的透光率在30%以上。用该波长范围内的激光照射该介质一侧即可把信息记录在多个记录层上,并将其重放出来。 |
申请公布号 |
CN1681021B |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200510065134.2 |
申请日期 |
2000.12.19 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
宇野真由美;山田升 |
分类号 |
G11B7/24(2006.01)I;G11B7/004(2006.01)I |
主分类号 |
G11B7/24(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王忠忠 |
主权项 |
一种光学信息记录介质,其特征在于,在基片上形成至少一层信息层,所述信息层含有以能通过激光照射而在光学上不同的两种状态之间变化的材料为主要成分的记录层,在所述记录层中至少一层上,所述材料中所述两种状态中的一种是非结晶状态,周期表中的第5周期以后的元素的含有率为大于85原子%并且包含5原子%以上的第3周期的元素,并且在受到波长在300nm以上450nm以下范围内的激光照射时,包含所述记录层的信息层的透光率在30%以上,所述材料的能隙在非结晶状态下处在0.9eV以上、2.0eV以下。 |
地址 |
日本大阪府 |