| 发明名称 | 底栅电极薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了晶体管，包括：基板；栅电极；不位于基板和栅电极之间的半导体材料、与半导体材料接触的源电极、与半导体材料接的漏电极、和与栅电极和半导体材料接触的介电材料；其中所述半导体材料包括：如本文描述的1-99.9重量％的在1KHz时介电常数大于3.3的所述聚合物、0.1-99重量％的官能团化并五苯化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101346808B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200680049281.3 | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 丹尼斯·E·沃格尔;布拉因·K·纳尔逊 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 郇春艳;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包括：基板；栅电极；不位于所述基板和所述栅电极之间的半导体材料；与所述半导体材料接触的源电极；与所述半导体材料接触的漏电极；和与所述栅电极和所述半导体材料接触的介电材料；其中所述半导体材料包含：1-99.9重量％的在1kHz时介电常数大于3.3的聚合物；0.1-99重量％的用化学式I表示的化合物：<img file="F2006800492813C00011.GIF" wi="800" he="537" />其中每个R<sup>1</sup>独立地选自H和CH<sub>3</sub>，并且每个R<sup>2</sup>独立地选自支链或非支链的C2-C18烷基、支链或非支链的C1-C18烷基醇、支链或非支链的C2-C18烯、C4-C8芳基或杂芳基、C5-C32烷基芳基或烷基杂芳基、二茂铁基或SiR<sup>3</sup><sub>3</sub>，其中每个R<sup>3</sup>独立地选自氢、支链或非支链的C1-C10烷基、支链或非支链的C1-C10烷基醇或支链或非支链的C2-C10烯基。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||