| 发明名称 | 改进的静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改进的静电放电保护电路，当一静电电压在一第一节点和一第二节点之间产生时，提供从第一节点至第二节点的静电放电路径，包括一PMOS管、一电阻R1和一二极管D，其中所述PMOS管漏极连接至所述第一节点，其源极连接至所述第二节点，其栅极通过电阻R1连接至所述第二节点，所述二极管D正极连接至所述第一节点，负极连接至所述第二节点，所述PMOS管其衬底连接至其栅极；所述PMOS也可使用NMOS管代替，此时电路中所述二极管D正极连接至所述第二节点，负极连接至所述第一节点，所述NMOS管其衬底连接至其栅极。本发明所述电路相对现有技术，省去了复杂的检测电路，本发明的NMOS和PMOS可以采用标准工艺，而不是复杂的N阱工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101039027B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200710099056.7 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 北京中星微电子有限公司 | 发明人 | 王钊;尹航 |
| 分类号 | H02H9/00(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 龙洪;霍育栋 |
| 主权项 | 一种改进的静电放电保护电路，当一静电电压在一第一节点和一第二节点之间产生时，提供从第一节点至第二节点的静电放电路径，包括一PMOS管、一第一电阻(R1)和一二极管(D)，其中所述PMOS管漏极连接至所述第一节点，其源极连接至所述第二节点，其栅极通过第一电阻(R1)连接至所述第二节点，所述二极管(D)正极连接至所述第一节点，负极连接至所述第二节点，其特征在于：所述PMOS管其衬底连接至其栅极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 | ||