| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种具有足够高的散热性能，同时抑制芯片面积增加的半导体器件。在半导体器件(1)中，在半导体衬底(10)上一维交替地布置多个HBT(20)和多个二极管(30)。二极管(30)的阳极电极(36)通过公共发射极布线(42)连接到HBT(20)的发射电极(27)。二极管(30)用作从发射电极(27)将通过公共发射极布线(42)传输的热量散逸到半导体衬底(10)的散热装置，并且用作HBT(20)的发射极和集电极之间并联连接的保护二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN1961412B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200580017592.7 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 黑田尚孝;田能村昌宏;黑泽直人 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L27/095(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：次集电极层，其形成在半导体衬底上；双极晶体管，通过在所述次集电极层上依次层叠集电极层、基极层以及发射极层而形成；以及散热装置，其经与所述双极晶体管相连接的布线将所述双极晶体管内产生的热量散逸到所述半导体衬底，其特征在于，所述散热装置是由与所述次集电极层以及所述双极晶体管的集电极层和基极层相同的层组成的且与所述双极晶体管隔离开的p-n结二极管，其中，所述p-n结二极管的次集电极层电连接到所述双极晶体管的次集电极层，并且其中，所述二极管的至少一端与所述布线连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||