半导体装置及其制造方法

摘要

本发明各实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，该器件硅材料选择生长层，适用作Si1-XGeX材料的第一区域上的第一电路器件的第一沟道，以限定缓变弛豫硅锗材料的基片的第一界面表面，其中，所述硅材料的晶格间距比所述第一界面上Si1-XGeX材料的晶格间距小；以及Si1-YGeY材料层，适用作Si1-XGeX材料的第二区域上的第二电路器件的第二沟道，以限定缓变弛豫硅锗材料的基片的第二界面表面，其中，所述Si1-YGeY材料层的晶格间距比所述第二界面上Si1-XGeX材料的晶格间距大。

主权项

一种电路器件的制造方法，包括：将选择性的第一层形成为适用作位于基片的第一区域上的第一电路器件的第一沟道，所述第一层包括具有小于限定所述基片的第一界面表面的基片材料的基片晶格间距的第一晶格间距的第一材料，其中第一材料是选择性生长的硅材料；在所述选择性的第一层上形成一绝缘层；以及将选择性的第二层形成为适用作位于基片的与第一区域不同的第二区域上的第二电路器件的第二沟道，所述第二层包括具有大于所述第一晶格间距，且大于限定所述基片的第二界面表面的基片材料的基片晶格间距的第二晶格间距的与第一材料不同的第二材料，其中第二材料是选择性生长的SiGe材料。