| 发明名称 | 磁阻位结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用传统触点和/或通路工艺步骤产生的磁性位结构。根据本发明的一个方面，其提供一种磁阻位，包括：在磁阻位的一端处的第一位末端；与第一位末端电接触的第一接触结构；以及所述第一位末端形成尺寸以围绕第一接触结构延伸，其中，所述磁阻位还包括伸长中心部分，所述伸长中心部分具有从第一位末端延伸的宽度，所述第一位末端的宽度大于伸长中心部分的宽度。由此，接触孔或通路孔可以保持在位边缘的内部，从而保护位边缘在能够导致位结构氧化或损伤的随后处理步骤中不被损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN1572001B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN02820834.X | 申请日期 | 2002.10.29 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 哈里·刘;威廉·拉森;隆妮·贝里;西奥多·朱;李绍平;罗姆尼·R·卡蒂;陆勇;安东尼·阿罗特 |
| 分类号 | G11C11/00(2006.01)I;H01L31/119(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种磁阻位，包括：在磁阻位的一端处的第一位末端；与第一位末端电接触的第一接触结构；以及所述第一位末端形成尺寸以围绕第一接触结构延伸，其中，所述磁阻位还包括伸长中心部分，所述伸长中心部分具有从第一位末端延伸的宽度，所述第一位末端的宽度大于伸长中心部分的宽度。 | ||
| 地址 | 美国艾达荷 | ||