菱形栅控阴极发射阵列结构的平板显示器及其制作工艺

摘要

本发明涉及到一种菱形栅控阴极发射阵列结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及菱形栅控阴极发射阵列结构；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，能够进一步增强栅极结构的控制功能，降低栅极结构的工作电压，增强碳纳米管的电子发射能力，有利于进一步提高整体器件的图像质量，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

主权项

一种菱形栅控阴极发射阵列结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[10]和四周玻璃围框[15]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[11]、制备在阳极导电层上面的荧光粉层[13]以及在阳极导电层的非显示区域印刷的绝缘浆料层[12]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[14]以及消气剂附属元件[16]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有阴极导电层[5]、碳纳米管[9]以及菱形栅控阴极发射阵列结构；所述的菱形栅控阴极发射阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层；阻塞层上面的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极增高层；阴极增高层为中空的菱形柱形状，底部和阴极引线层紧密接触；阴极增高层是一个柱体结构，但其高度不能够超过隔离层的高度，从外围上看是一个菱形形状，中间部分是一个圆形孔形状，是中空的；阴极增高层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；阴极导电层仅仅位于阴极增高层的外侧面以及顶部上表面；阻塞层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层；隔离层中存在电子通道孔，暴露出底部的阴极增高层以及阴极导电层；隔离层的下表面为一个平面，要覆盖住阴极引线层以及空余的阻塞层，上表面为一个平面，和栅极引线层紧密接触；隔离层中电子通道孔为一个菱形形状，和阴极增高层的菱形形状是相互对应的，但二者之间并不相互接触；隔离层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层的大部分都位于隔离层的上面，但是其前端部分要伸向电子通道孔的内侧，呈现一种悬空状态；栅极引线层的前端悬空状态部分要略向下弯曲；栅极引线层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要覆盖住大部分的栅极引线层，但是不能够覆盖前端呈现悬空状态部分的栅极引线层；碳纳米管制备在阴极导电层上面。