带电流调整层的AlGaInP系LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种带电流调整层的AlGaInP系LED芯片及其制备方法。该LED芯片自下而上包括下电极、衬底、布拉格反射层、下限制层、有源区、上限制层、电流扩展层和上电极，在上限制层和电流扩展层之间设有电流调整层，电流调整层上设有与上电极形状和位置对应一致的电流阻挡区。制备方法包括步骤：(1)在衬底上依次外延生长各层，制得外延片；(2)通过湿氧化在电流调整层的湿氧化孔位置处形成电流阻挡区；(3)在外延片上光刻出所需形状和位置的上电极，在减薄的衬底下表面形成下电极。本发明在外延生长中一次性完成电流调整层和电流扩展层，有效的减小甚至完全阻止上电极正下方的电流输运，提高了LED的发光效率和光提取效率。

主权项

一种带电流调整层的AlGaInP系LED芯片，自下而上包括下电极、衬底、布拉格反射层、下限制层、有源区、上限制层、电流扩展层和上电极，其特征是：在上限制层和电流扩展层之间设有电流调整层，电流扩展层和电流调整层形成复合窗口层，该电流调整层采用易氧化材料高铝含量的铝镓砷AlxGa1-xAs材料，铝的摩尔量大于80％而小于100％，电流调整层上设有绝缘的三氧化二铝电流阻挡区，且电流阻挡区与上电极形状和位置对应一致。