| 发明名称 | 深槽隔离非晶硅的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深槽隔离非晶硅的制备方法，包括在淀积设备中连续进行如下步骤：在深槽上淀积第一层非晶硅；用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入氧气和氩气的混合气体吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；在二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。本发明的方法通过在第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅，缓解第二层非晶硅淀积时所带来的应力，且整个过程在同一淀积设备中连续进行，故整个处理时间相对较短，提高深槽隔离非晶硅工艺的生产能力。本发明的方法适用于半导体制备中深槽隔离非晶硅填充工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN101399218B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200710094108.1 | 申请日期 | 2007.09.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王剑敏 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种深槽隔离非晶硅的制备方法，用于将非晶硅填充进深槽中，其特征在于，包括在非晶硅淀积设备中连续进行如下步骤：(1)在深槽上淀积第一层非晶硅；(2)用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入氧气和氩气的混合气体吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；(3)在步骤(2)形成的二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号 | ||