低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，特别是指低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，将纯度为4N～5.5N的硅片首先进行高温煅烧，然后进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，并采用等离子体增强化学气相沉积镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜，再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，制成低纯度单晶硅太阳能电池，克服了4N～5.5N的硅片采用普通晶体硅太阳能电池的制造方法制造的电池漏电流过大而无法使用的缺点，使得冶金法制得的4N～5.5N的硅片可用于制造太阳能电池。

主权项

低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一，将纯度为4N～5.5N的硅片插入石英舟中，在950～1250℃下，进行25～35min的高温煅烧；步骤二，用酸对煅烧后的硅片进行清洗；步骤三，对清洗后的硅片进行表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，形成的金字塔结构绒面的塔底的平均宽度为15～25μm、金字塔结构绒面的平均高度为1～4μm；步骤四，采用等离子体增强化学气相沉积，通入1∶10～10∶1的硅烷和氩气，通过控制时间镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜，镀膜时要求衬底温度达到800℃以上；步骤五，镀膜完成后再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，主要包括扩散、等离子刻蚀、去PSG、PECVD镀氮化硅膜、丝网印刷等工艺，制成低纯度单晶硅太阳能电池。