| 发明名称 | 光刻光掩模、对准方法和检验对准精确度的方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻光掩模、对准方法和检验对准精确度的方法，该光刻掩模包括一对准记号，对准记号包括一第一长条形图案、一与第一长条形图案交错的第二长条形图案，及一连接第二长条形图案的特定图案，其中特定图案具有与第一长条形图案和第二长条形图案不同的特征。本发明可以使得晶片和掩模上的对准记号之间的偏移得到准确测量，大大提高集成电路的精确度。 | ||
| 申请公布号 | CN101713912A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910126291.8 | 申请日期 | 2009.03.11 |
| 申请人 | 采钰科技股份有限公司 | 发明人 | 范直琛;陈立伟;宋易瑾;王法程 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种光刻光掩模，包括：一对准记号，包括：一第一长条形图案；一第二长条形图案，与该第一长条形图案交错；一特定图案，连接该第二长条形图案，其中该特定图案具有与该第一长条形图案和该第二长条形图案不同的特征。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||