半导体装置

摘要

本发明提供可同时实现对噪声的耐受性和对浪涌电流的耐受性的半导体装置。半导体装置(100)中的保护电路(110)具备：与接地线GND电气连接的nMOS(112)；在电源线VDD和nMOS(112)之间连接、当电源线VDD和接地线GND之间产生规定的偏置电压时，即电源线VDD被施加工作电压时，使电源线VDD和nMOS(112)的电气连接导通的pMOS(111)。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1线及第2线；与上述第2线电气连接的第1晶体管；及在上述第1线和上述第1晶体管之间连接，当上述第1线和上述第2线之间施加工作用的偏置电压时，使该第1线与该第1晶体管的电气连接导通的第2晶体管，上述半导体装置被构成为：当正极性的浪涌电流输入上述第1线时，上述第2晶体管成为常时导通状态，上述浪涌电流通过上述第1晶体管中寄生的寄生双极晶体管的导通而向上述第2线释放；当负极性的浪涌电流输入上述第1线时，上述第1晶体管及上述第2晶体管的特性曲线分别成为正向的PN结二极管的特性曲线，上述第1晶体管及上述第2晶体管成为与将这些正向的PN结二极管在上述第2线和上述第1线之间串联的电路结构等价。