| 发明名称 | 结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板 | ||
| 摘要 | 一种结晶性被控制的氧化镁单晶以及使用该单晶的基板，该结晶性被控制的氧化镁单晶具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线位置的变动幅度为：Δω座标的变动幅度为1×10-3～2×10-2度，并且2θ座标的变动幅度为4×10-4～5×10-3度。 | ||
| 申请公布号 | CN101094940B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200580045352.8 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 达泰豪化学工业株式会社 | 发明人 | 东塚淳生;川口祥史;国重正明 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种结晶性被控制的氧化镁单晶，其特征在于，其具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线座标位置的最大值与最小值之差的绝对值即变动幅度为：表示晶面方位的变动程度的Δω座标的变动幅度为1×10-3～2×10-2度，并且表示晶面间距的变动程度的2θ座标的变动幅度为4×10-4～5×10-3度。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||