图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法将通过光产生的电子的消失减到最少，而不将这些电子传输到转移栅极。该方法包括：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区，在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区，在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区，用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层，在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件，以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。

主权项

一种CMOS图像传感器的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底的隔离区中形成沟槽，以限定包括光电二极管区和晶体管区的有源区；在所述光电二极管区的沟槽侧壁处以及在与所述晶体管区相邻的区域中形成第一导电型离子注入区；在所述第一导电型离子注入区与所述沟槽之间以及在所述晶体管区的下部与所述第一导电型离子注入区之间，形成第二导电型离子注入区；用绝缘膜填充所述沟槽来形成隔离层；在所述晶体管区中形成栅电极和间隔件；以及在所述光电二极管区中形成光电二极管。