| 发明名称 | 应用硬化剂对应变材料层的松弛 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)的方法，其包括以下步骤：提供包括位于回流层(2，2a，2b)与硬化剂层(4，4a，4b)之间的应变材料层(3，3a，3b)的结构(10)；施加热处理，该热处理使回流层(2，2a，2b)的温度等于或大于回流层(2，2a，2b)的玻璃转化温度，该方法包括在施加热处理期间，逐渐减小硬化剂层(4，4a，4b)的厚度。本发明还涉及制造半导体器件的方法，该方法包括提供通过前述方法获得的至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)，该方法还包括在所述至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)上形成至少一个有源层(6，6a，6b)，尤其是激光部件、光伏部件或电致发光二极管的有源层(6，6a，6b)。 | ||
| 申请公布号 | CN101714505A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910172880.X | 申请日期 | 2009.09.07 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 奥列格·科农丘克 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 一种制造用于电子装置、光电子装置或光伏装置的至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)的方法，所述方法包括以下步骤：提供结构(10)，所述结构(10)包括支承衬底(1)和应变材料层(3，3a，3b)，回流层(2，2a，2b)位于所述支承衬底(1)上，所述应变材料层(3，3a，3b)位于所述回流层(2，2a，2b)与硬化剂层(4，4a，4b)之间，施加热处理，所述热处理使所述回流层(2，2a，2b)到达等于或大于所述回流层(2，2a，2b)的玻璃转化温度的温度，其特征在于，所述方法包括在施加所述热处理期间，逐渐减小所述硬化剂层(4，4a，4b)的厚度。 | ||
| 地址 | 法国克莱斯 | ||