第Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法

摘要

提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。

主权项

一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述发光器件包括：p型层、包含氧化物并且形成于所述p型层上的透明电极、包含镍/金并且形成于所述透明电极上以及所述发光器件的表面侧的p焊盘电极、以及包含镍/金并且形成于所述发光器件的所述表面侧的n电极；所述方法包括同时形成所述p焊盘电极和所述n电极的步骤。