发明名称 堆叠结构及其制造方法
摘要 一种堆叠结构,包括:第一芯片,耦接于第一基板,该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构;第二芯片,安装于该第一芯片上,该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板;至少一个第一支撑结构,由形成于该第一基板上的第二基板所制成,该第一支撑结构至少邻近该第一芯片与该第二芯片其中之一,该第一支撑结构的顶面大体与其邻近的该第一芯片与第二芯片其中之一共平面;以及散热片,安装于该第二芯片上。本发明的堆叠结构具有高积集度与高速度的良好效果,改善了电路的操作速率。
申请公布号 CN101162717B 申请公布日期 2010.05.26
申请号 CN200710085523.0 申请日期 2007.03.07
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 赵智杰;袁从棣;潘信瑜;陈金;彭迈杉;郭祖宽
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 陈晨
主权项 一种堆叠结构,包括:第一芯片,耦接于第一基板,该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构;第二芯片,安装于该第一芯片上,该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板,其中该第二芯片包括环绕芯片区的切割道区以及邻近该切割道区的至少一个支撑结构区,而该支撑结构区位于该芯片区与该切割道区之间;以及散热片,安装于该第二芯片上。
地址 中国台湾新竹市