生成低电阻自对准多晶硅化MOSFET器件的结构和方法

摘要

一种新型的一体化设计，能够生产功率MOSFET，特别是生产栅极和台面接触区使用的自对准多晶硅化物，以及使用多能量接触注入法通过自对准多晶硅化层生成传导体接触，通过自对准多晶硅化物与源区短路。

主权项

一种生产槽半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：首先使用自对准多晶硅化工艺在槽栅顶部生成第一自对准多晶硅化层；在台面区毗邻所述槽栅的源-体区顶部生成第二自对准多晶硅化层，通过第二自对准多晶硅化层注入一个由接触掺杂物过度补偿源而形成的体接触掺杂区；从而降低栅极电阻、源接触电阻和体接触电阻。