| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：像素阵列区，形成在半导体衬底之上，所述像素阵列区包括光电二极管和晶体管；逻辑区，形成在所述半导体衬底之上，所述逻辑区包括多个晶体管；金属互连和绝缘层结构，连接到所述晶体管并覆盖所述像素阵列区和所述逻辑区；以及滤色镜层，形成在所述像素阵列区之上，其中，所述像素阵列区的所述绝缘层结构在所述金属互连之间包括气隙。本发明可以基本避免因为绝缘层所导致的光线吸收和/或光线反射，量子效应可以被相对最大化和/或光敏度可以被最大化。 | ||
| 申请公布号 | CN101714565A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910179132.4 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郑伍珍 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种装置，包括：像素阵列区，形成在半导体衬底之上，所述像素阵列区包括光电二极管和晶体管；逻辑区，形成在所述半导体衬底之上，所述逻辑区包括多个晶体管；金属互连和绝缘层结构，连接到所述晶体管并覆盖所述像素阵列区和所述逻辑区；以及滤色镜层，形成在所述像素阵列区之上，其中，所述像素阵列区的所述绝缘层结构在所述金属互连之间包括气隙。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||