| 发明名称 | 半导体器件及制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，该方法适于提高良品率。所述方法通常包括：蚀刻半导体基板以形成沟槽；用导电材料填充沟槽；将所填充的导电材料分隔开以形成位线触点区域和多个栅极图案；以及蚀刻半导体基板以限定隔离区。 | ||
| 申请公布号 | CN101714529A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910000435.5 | 申请日期 | 2009.01.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 徐勇源 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：蚀刻半导体基板以形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽；以及将所述导电材料分隔开以形成位线触点区域和多个栅极图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||