发明名称 压电体膜的制造方法
摘要 一种压电体膜的制造方法,该方法包括以下步骤:将用于形成压电体的涂布液涂布在基板上形成涂布膜的涂布步骤;干燥所述涂布膜的干燥步骤;预焙烧所述涂布膜形成氧化物膜的预焙烧步骤;焙烧所述氧化物膜形成压电体膜的主焙烧步骤;和冷却所述压电体膜的冷却步骤;上述各步骤在含有水分的气体存在下进行,在所述涂布步骤中所述基板的温度为50℃或50℃以下,含有水分的气体在25℃下的相对湿度为60%RH或60%RH以下;在所述干燥步骤中所述基板的温度为200℃或200℃以下,所述相对湿度为10~70%RH;在所述预焙烧步骤中所述基板的温度为200~450℃,所述相对湿度为70~100%RH;所述主焙烧步骤中所述基板的温度为500~800℃,所述相对湿度为70~100%RH。
申请公布号 CN1495928B 申请公布日期 2010.05.26
申请号 CN03157462.9 申请日期 2003.09.22
申请人 佳能株式会社;富士化学株式会社 发明人 小林本和;汤浅俊哉;久保田纯;襟立信二;内田文生;清水千惠美;前田宪二
分类号 H01L41/22(2006.01)I;H01L41/08(2006.01)I;B41J2/045(2006.01)I 主分类号 H01L41/22(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种压电体膜的制造方法,该方法包括以下步骤:将用于形成压电体的涂布液涂布在基板上形成涂布膜的涂布步骤;干燥所述涂布膜的干燥步骤;预焙烧所述涂布膜形成氧化物膜的预焙烧步骤;焙烧所述氧化物膜形成压电体膜的主焙烧步骤;和冷却所述压电体膜的冷却步骤;其特征在于,上述各步骤在含有水分的气体存在下进行,在所述涂布步骤中所述基板的温度为50℃或50℃以下,含有水分的气体在25℃下的相对湿度为60%RH或60%RH以下;在所述干燥步骤中所述基板的温度为200℃或200℃以下,所述相对湿度为10~70%RH;在所述预焙烧步骤中所述基板的温度为200~450℃,所述相对湿度为70~100%RH;所述主焙烧步骤中所述基板的温度为500~800℃,所述相对湿度为70~100%RH。
地址 日本东京都