| 发明名称 | 双扩散场效应晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过增加一次形成第二漂移区的选择性离子注入过程，从而使得晶体管的漂移区在沟道方向上(即横向方向上)和垂直沟道方向上(即纵向方向上)能够形成一定的掺杂浓度的梯度，使得整个器件横向和纵向方向的结拥有近似相等的击穿电压，从而使得器件不会在较小的电压下就发生击穿，同时也可以在保证满足一定的击穿电压下，可以通过提高漂移区的掺杂浓度来提高晶体管的饱和电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101447433B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200710094293.4 | 申请日期 | 2007.11.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;刘俊文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种双扩散场效应晶体管制造方法，包括：进行第一次选择性离子注入形成第一漂移区的工序；形成栅极的工序；形成源极和漏极的工序；其特征在于，还包括：进行第二次选择性离子注入形成第二漂移区的工序，第一漂移区与多晶硅栅极有交叠，源极和漏极都落在第二漂移区以内。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||