发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体器件,其具有基于设计图形的物理图形,其中:设计图形包括对象图形和修正图形;对象图形包括:边缘的第一部分,在该第一部分和与之相对的图形之间具有第一距离;边缘的第二部分,在该第二部分和与之相对的图形之间具有第二距离,该第二距离与第一距离不同;边缘的第三部分,其具有边缘的第一区域和边缘的第二区域,在该第一区域和与之相对的图形之间具有所述第一距离,在该第二区域和与之相对的图形之间具有第二距离;修正图形被附加到边缘的第一部分、边缘的第二部分和边缘的第三部分中的至少一个上,以使得该边缘的第一部分、该边缘的第二部分和该边缘的第三部分在设计图形的维度上相互不同。 | ||
申请公布号 | CN101713920A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
申请号 | CN200910253351.2 | 申请日期 | 2004.07.02 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小谷敏也 |
分类号 | G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 陈海红;周春燕 |
主权项 | 一种半导体器件,其具有基于设计图形的物理图形,其中:所述设计图形包括对象图形和修正图形;所述对象图形包括:边缘的第一部分,在该第一部分和与之相对的图形之间具有第一距离;边缘的第二部分,在该第二部分和与之相对的图形之间具有第二距离,该第二距离与所述第一距离不同;边缘的第三部分,其具有边缘的第一区域和边缘的第二区域,在该第一区域和与之相对的图形之间具有所述第一距离,在该第二区域和与之相对的图形之间具有所述第二距离;所述修正图形被附加到所述边缘的第一部分、所述边缘的第二部分和所述边缘的第三部分中的至少一个上,以使得该边缘的第一部分、该边缘的第二部分和该边缘的第三部分在所述设计图形的维度上相互不同。 | ||
地址 | 日本东京都 |