| 发明名称 | 包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备。所述多层存储设备包括有源电路单元和有源电路单元上形成的存储部件。行线和列线形成在存储层上。选择晶体管形成在行线和列线的侧端。 | ||
| 申请公布号 | CN101714404A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910204905.X | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋利宪;朴宰彻;权奇元;金善日 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G11C11/4195(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;罗延红 |
| 主权项 | 一种多层存储设备，包括：有源电路单元；多个存储层，形成在有源电路单元上，所述多个存储层中的每一层包括多条行线、多条列线和选择晶体管，所述多条行线和所述多条列线连接到有源电路单元，所述选择晶体管形成在行线和列线中每一条的至少一个侧端上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||