| 发明名称 | 成膜方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101715602A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200880018745.3 | 申请日期 | 2008.06.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 松本贤治;伊藤仁;根石浩司;小池淳一 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种成膜方法，其特征在于：在能够抽真空的处理容器内，使用含有过渡金属的含过渡金属原料气体和含氧气体，通过热处理在被处理体的表面形成薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||