| 发明名称 | 低电容双向ESD保护器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件双向低压瞬态电压抑制器件的领域，具体为低电容双向ESD保护器件及其制备方法。一种低电容双向ESD保护器件，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，其特征在于：包括四个导向二级管和一个TVS管，四个导向二级管分布在TVS管的中部和侧边，其中，TVS管(17)的阳极与分布在两边侧的边侧二极管(15、16)的阳极连接，TVS管(17)的阴极与设在中部的二个导向二极管的阴极相连，两个中部二极管(13、14)的阳极又与其相邻的边侧二极管(15、16)的阴极相连，形成回路。具有低电容、低钳位和快速响应的特点，能够很好地满足手机等便携式电子产品对器件低电容、小型化的要求；在3G等高频领域应用更为广阔。 | ||
| 申请公布号 | CN101714759A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910198635.6 | 申请日期 | 2009.11.11 |
| 申请人 | 上海长园维安微电子有限公司 | 发明人 | 张关保;苏海伟;吴兴农 |
| 分类号 | H02H9/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人 | 董梅 |
| 主权项 | 一种低电容双向ESD保护器件，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，其特征在于：包括四个导向二级管和一个TVS管，四个导向二级管分布在TVS管的中部和侧边，其中，TVS管(17)的阳极与分布在两侧的二个边侧二极管(15、16)的阳极连接，TVS管(17)的阴极与设在中部的二个中部二极管的阴极相连，两个中部二极管(13、14)的阳极又分别与其相邻的边侧二极管(15、16)的阴极相连，形成回路。 | ||
| 地址 | 201202 上海市浦东新区施湾七路1001号 | ||