发明名称 |
遮光元件及其镀膜方法 |
摘要 |
本发明提供一种遮光元件的镀膜方法,其包括以下步骤:提供一镀膜机、一金属钯材、一试验基材及一待镀膜基材;将金属钯材及试验基材放入镀膜机的真空腔后,调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量,使因电子束轰击产生的金属钯材离子与所释放的气体完全反应;取出试验基材,放入待镀膜基材,通过调整电子束功率或气体源的气体释放量之一,在所述待镀膜基材上形成一层膜层,且从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧,所述膜层中金属钯材单质的沉积浓度逐渐增加,而金属钯材化合物的沉积浓度逐渐减小;当膜层的电阻值保持不变后,镀膜完成。通过调整电子束功率或气体释放量,可得到不同效果的遮光元件。本发明还提供一种遮光元件。 |
申请公布号 |
CN101713062A |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200810304770.X |
申请日期 |
2008.10.08 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
洪新钦 |
分类号 |
C23C14/24(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I;G02B5/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/24(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种遮光元件的镀膜方法,其包括以下步骤:提供一镀膜机、一金属钯材、一试验基材及一待镀膜基材;将金属钯材及试验基材放入镀膜机的真空腔后,调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量,使电子束轰击产生的金属钯材离子与所释放的气体完全反应;取出试验基材,并将待镀膜基材放入真空腔,通过调整电子束的功率或气体源的气体释放量之一,在所述待镀膜基材上形成一层膜层,且从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧,所述膜层中金属钯材单质的沉积浓度逐渐增加,而金属钯材反应物的沉积浓度逐渐减小;当膜层的电阻值保持不变后,镀膜完成。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |