具有改进的部分页编程能力的非易失性存储器和控制

摘要

在其中以两遍或两遍以上循序编程对存储器单元进行编程的非易失性存储器编程方案中，当在第二遍编程期间没有足够的主机数据对至少某些存储器单元进行编程时，某些存储器单元可能被编程为错误的阈值电压。这可通过修改编程方案来防止发生这种情况。在一种实施方案中，这是通过以下方法实现的：选择不会使存储器单元在第二遍编程期间被编程为错误的阈值电压的编码方案，或根据不会使单元被编程为错误状态的替代性数据来编程存储器单元。

主权项

一种对包含非易失性电荷存储元件的存储器系统进行编程的方法，所述非易失性电荷存储元件存储数据作为对应的不同电荷电平，所述方法包括：在至少两遍编程中将所述电荷存储元件编程到两个以上的电荷存储电平中的一个电荷存储电平中以存储数据，其中所述电荷存储元件被分为复数个群组，每一群组包含用于存储至少两位旗标数据的至少一个对应的旗标电荷存储单元，每一位所述旗标数据都与所述两遍编程中的一者相关联；其中在至少两遍连续编程中执行所述编程，所述至少两遍连续编程包括一在前编程和在所述在前编程之后执行的一后续编程，且所述至少两遍连续编程使得与所述在前编程相关联的所述旗标数据的值在所述在前编程之后被设置。