制造半导体发光器件的方法以及采用该方法制造的器件

摘要

一种制造半导体发光器件的方法包括在衬底(1)上层叠至少第一导电类型的半导体层(2)、有源层(3)和第二导电类型的半导体层(4)以形成晶片，接着在所述半导体层的生长表面侧上形成使所述第一导电类型的半导体层露出的第一沟槽(40)，通过采用激光束进一步形成从所述第一沟槽上方到达所述衬底的第二沟槽(50)，随后在与所述第二沟槽对应的位置处从所述衬底形成沟槽(60)，最后将所述晶片切割成芯片。即使当其端面是光滑表面，所产生的半导体芯片也可提供提高的提取所发射的光的效率，并且允许切割半导体层而不扭曲晶片端面。

主权项

一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：在衬底上层叠至少第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层以形成晶片；在所述半导体层生长表面侧上形成使所述第一导电类型的半导体层露出的第一沟槽，所述第一沟槽形成为不露出所述衬底的深度；通过采用激光束形成从所述第一沟槽上方到达所述衬底的第二沟槽，所述第二沟槽形成为比所述第一沟槽的宽度窄的宽度；通过采用激光束在与所述第二沟槽对应的位置处从所述衬底的背面侧形成宽度大于所述第一沟槽以及所述第二沟槽的第三沟槽；采用切片刀片修正所述第三沟槽的形状；以及将所述晶片分开成芯片。