发明名称 |
液晶像素及其制造方法与液晶显示器 |
摘要 |
本发明提供一种液晶像素及其制造方法与液晶显示器,该液晶像素包含一数据线、一掺杂多晶硅层以及一遮蔽金属层。掺杂多晶硅层位于数据线下方,且在垂直方向上的投影不与数据线重叠。遮蔽金属层位于数据线以及掺杂多晶硅层之间,且与掺杂多晶硅层形成一储存电容。另外,本发明还提供一种液晶像素的制造方法。该方法通过遮蔽金属层与掺杂多晶硅层形成的储存电容来储存影像数据,且不会造成数据线的负担,并可避免像素电极与数据线可能形成的寄生电容。 |
申请公布号 |
CN101021659B |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200710078769.5 |
申请日期 |
2007.02.26 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
丁友信;李雅君;尤建盛 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种液晶像素,其特征在于,所述液晶像素包含:一数据线;一掺杂多晶硅层,位于所述数据线下方,其中所述掺杂多晶硅层在垂直方向上的投影不与所述数据线重叠;以及一第一遮蔽金属层,位于所述数据线以及所述掺杂多晶硅层之间,且与所述掺杂多晶硅层形成一储存电容;一第二遮蔽金属层,其中所述第一遮蔽金属层以及所述第二遮蔽金属层分别位于所述数据线的下方两侧,且所述第一遮蔽金属层以及所述第二遮蔽金属层在垂直方向上的投影分别部份重叠于所述数据线;所述第二遮蔽金属层在垂直方向上的投影不与所述掺杂多晶硅层重叠;以及一共通电极线,其中所述第一遮蔽金属层与所述共通电极线连接,且所述第二遮蔽金属层不与所述共通电极线连接。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |