研磨剂、研磨装置以及半导体集成电路装置

摘要

本发明提供在半导体集成电路装置的制造中可以高速研磨SiC或者可以在高速研磨SiC的同时抑制绝缘层的二氧化硅的研磨，因而能够获得被高度平坦化了的具有多层结构的半导体集成电路装置的研磨剂。本研磨剂包含磨粒(A)，选自苯并三唑类、1H-四唑类、苯磺酸类、磷酸和有机膦酸的1种以上的研磨速度调整剂(B)，介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60mPa·s的有机溶剂(C)以及水(D)。

主权项

1.研磨剂，它是半导体集成电路装置的制造中用于研磨含SiC的被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包含磨粒(A)，研磨剂的总质量的0.2～10质量％的具有下式(2)的1H-四唑类研磨速度调整剂(B)，其中，R₂和R₃相互独立，为氢原子、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基、羧基或氨基，介电常数为15～80、沸点为60～250℃、25℃时的粘度为0.5～60mPa·s的有机溶剂(C)以及水(D)。