| 发明名称 | 相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在衬底上形成的半导体芯片。在衬底上形成掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层。在掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层上形成有机硅酸盐玻璃层。用有机硅酸盐玻璃与掺杂氧的碳化硅的选择率高于5∶1的蚀刻选择蚀刻有机硅酸盐玻璃层中的结构元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1525540B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200410007307.0 | 申请日期 | 2004.01.20 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | X·苏;B·M·殷;P·勒温哈德特 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘继富;马崇德 |
| 主权项 | 一种在衬底上形成结构元件的方法，包括：在衬底上形成掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层；在掺杂的碳化硅蚀刻终止层上形成有机硅酸盐玻璃层；选择性蚀刻有机硅酸盐玻璃层中的结构元件，有机硅酸盐玻璃与掺杂氧的碳化硅的选择率高于5∶1。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||