拉伸半导体结构

摘要

本发明公开了一种用于原位形成低缺陷的拉伸硅的方法以及根据该方法形成的器件。在一个实施例中，在衬底上形成硅锗层，所述硅锗层的一部分被去除以暴露出将用平滑剂使其平滑的表面。在硅锗层上形成拉伸硅层。在各种实施例中，整个方法在保持在真空下的单个处理室中进行。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在处理室内，在衬底上形成硅锗层；在所述处理室内，去除所述硅锗层的一部分；在所述处理室内，在去除所述硅锗层的一部分之后，使所述硅锗层的表面平滑；以及在所述硅锗层的已平滑的表面上形成硅层，其中所述硅锗层包括松弛硅锗层，并且其中所述硅的晶格间距与所述松弛硅锗层的晶格间距失配。