| 发明名称 | Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供制造III族氮化物晶体衬底的方法，其包括：将含碱金属元素物质(1)、含III族元素物质(2)和含氮元素物质(3)导入反应器(51)中；在所述反应器(51)中，形成至少含有所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)；并从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，其特征在于至少在将含碱金属元素物质(1)导入反应器(51)的步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。由此可提供具有小吸收系数的III族氮化物晶体衬底及其制造方法，以及III族氮化物半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1942611B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200580011074.4 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;森勇介 | 发明人 | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;弘田龙;中畑成二 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I;C30B11/06(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造III族氮化物晶体衬底的方法，其中从含有碱金属元素、III族元素和氮元素的熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)，该方法包括下列步骤：将含有所述碱金属元素的含碱金属元素物质(1)、含有所述III族元素的含III族元素物质(2)和含有所述氮元素的含氮元素物质(3)导入反应器(51)的步骤；在所述反应器中，形成至少含所述碱金属元素、所述III族元素和所述氮元素的熔融液(5)的步骤；和从所述熔融液(5)生长III族氮化物晶体(6)的步骤；其中至少在将所述含碱金属元素物质(1)导入所述反应器(51)的所述步骤中，在水分浓度被控制在至多1.0ppm的干燥容器(100)中操作所述含碱金属元素物质(1)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||