| 发明名称 | 白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉，所述碘化物石榴石荧光粉，其是以石榴石架构的稀土氧化物元素为基质，其特征在于：在该荧光粉材料中添加引入碘离子I-1及硅离子Si+4，阴离子晶格中相互补偿电子，形成如下化学计量公式：(∑Ln)3Al2[(Al1-xSixO4-xIx]3，其中∑Ln＝Y及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/或La及/或Ce及/或Pr；该荧光粉辐射经过在一InGaN半导体异质结的激发下可产生长波位移。此外，本发明还揭示一种碘化物石榴石荧光粉的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101712871A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200910178588.9 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 罗维鸿 | 发明人 | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 |
| 分类号 | C09K11/86(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/86(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种碘化物石榴石荧光粉，其是以石榴石架构的稀土氧化物元素为基质，其特征在于：在该荧光粉材料中添加引入碘离子I-1及硅离子Si+4，阴离子晶格中相互补偿电子，形成如下化学计量公式：(∑Ln)3Al2(Al1-xSixO4-xIx)3，其中∑Ln＝Y及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/或La及/或Ce及/或Pr；该荧光粉辐射在一InGaN半导体异质结的激发下可产生长波位移。 | ||
| 地址 | 200231 上海市徐汇区华泾路1305弄18号B座1楼 | ||