发明名称 |
图像传感器和制造其的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器,其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方,且它至少部分地从主像素阵列区去除,使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除,获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。 |
申请公布号 |
CN1722459B |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200510084649.7 |
申请日期 |
2005.07.15 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
朴永薰;李受哲;金起弘;安正;李容济;裵贞勋;黄圣仁;安有真;金范锡 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
一种图像传感器,包括:衬底,在所述衬底上形成有有源像素阵列区、焊盘区和控制电路区;主像素阵列区,形成于所述有源像素阵列区中,所述主像素阵列区包括隔离区和所述隔离区定义的主像素有源区;以及钝化层,所述钝化层存在于所述控制电路区中,而不存在于所述主像素阵列区的所述隔离区和所述主像素有源区中且不存在于所述焊盘区的焊接区中。 |
地址 |
韩国京畿道 |